太陽(yáng)能有效轉化為化學(xué)能是解決能源危機的有效途徑之一;光催化可將光在有效催化劑的存在下實(shí)現太陽(yáng)能的有效轉化和利用。光催化存在的關(guān)鍵問(wèn)題是催化劑的光轉化效率偏低,表現在三個(gè)方面:1、催化劑表面反應速率低,2、光在催化劑光利用效率低,3、產(chǎn)生的光生載流子分離效率低。針對制約光催化的三個(gè)因素,我們提出采用先競爭配位后原位煅燒遞進(jìn)的策略,構筑具有高催化性能的表界面結構。以 In2O3為例,利用調節劑與配體競爭配位銦離子,構成既有特定表面的 In-MOFs 前驅體,隨后采用原位煅燒構筑具有特定的表面的雜原子摻雜 C 與 In2O3界面。構成的 C 與 In2O3界面,提供了載流子傳輸的通道,可提高流子的分離效率。同時(shí)形成特定形貌空心結構,可同時(shí)提高光利用效率和表面氧化還原反應速率,與商品化 In2O3比,光催化轉換頻率比商品化 In2O3提高 3 倍多。上述策略還可推廣合成其它金屬氧化物和碳界面。