硅是最重要的半導體材料,以硅為基底的太陽(yáng)能電池已經(jīng)開(kāi)始大規模商用化,而其發(fā)電成本仍然 高于傳統能源,其中單晶硅材料占據了其中大部分。因此為了減少成本,硅太陽(yáng)能電池有朝薄片化和柔 性化發(fā)展的趨勢。在此工作中,我們使用超薄硅來(lái)制備石墨烯/硅異質(zhì)結電池,并且使用硅納米結構來(lái) 解決超薄硅光透射的問(wèn)題。我們發(fā)現,在彎曲測試的過(guò)程中,以石墨烯/超薄硅構成的柔性電池器件具 有超強抗彎曲特性,在經(jīng)過(guò)50次的形變-恢復測試中,其光電轉換效率基本沒(méi)有明顯變化。另外,在 硅納米線(xiàn)對入射光的陷光效應可以明顯增強超薄硅對光的吸收,EQE 測試的量子效率會(huì )有明顯提高,有效地減少光學(xué)損失,使得超薄硅的器件效率得到進(jìn)一步的提高。論文發(fā)表于Journal of Materials Chemistry A等國際學(xué)術(shù)期刊。